三星128GB内存：三星电子近日宣布，将在全球首家推出128GB DRAM内存。该产品采用3D立体硅穿孔封装技术，容量和速度提升2倍，能耗减少50%。已经正式进入量产。据悉，在这个小小的内存芯片中，三星内置了 144 个芯片，形成了 36×4GB DRAM 封装，每个封装中有 4×8Gb 芯片，而且该内存芯片采用了三星最先进的 20毫微米工艺制造。
