6月18日下午，中科院物理所表面物理国家重点实验室吴克辉研究员应邀来我校光伏材料重点实验室考察交流，并作了题为“低维量子材料的原子尺度生长和物性”的学术报告，报告会由省特聘教授、实验室常务副主任张伟风主持，相关科研人员和学生聆听了报告。
吴克辉首先介绍了具有原子分辨率的低温扫描隧道显微镜(STM)和扫描隧道谱(STS)技术，并介绍了利用自行研发的低温扫描隧道显微镜，在原子尺度生长的拓扑绝缘体、硅烯等量子材料的新奇量子效应研究方面所做的开创性工作。通过分子束外延技术可以实现原子尺度精确控制，生长硒化铋、碲化铋、碲化锑等新型三维拓扑绝缘体材料，利用STM及STS技术直观地揭示了这类低维量子材料的电子态密度和激发态密度等物理性质。报告还介绍了研究组在硅烯方面的最新研究工作，利用分子束外延在银衬底表面生长单层硅烯材料并研究其新奇量子物理性能。这些内容都是属于当今凝聚态物理的国际前沿热点课题，对实验室的建设与发展具有有重要的指导作用，而且，报告图文并茂，深入浅出，使参会的师生受益匪浅。
吴克辉与在座师生进行了互动交流与讨论，对师生提出的问题一一作答，并对高年级学生的考研选题与物理研究提出了自己的看法和建议。
吴克辉，现任中科院物理所研究员、课题组长。主要研究方向为低温扫描隧道显微镜，分子束外延手段原位、原子尺度研究新型量子材料的生长、物性和新奇量子效应。代表性工作包括(1) 在三维拓扑绝缘体材料的制备和输运性质调控方面进行了系列开创性的工作。(2)在硅烯研究方面做出了系列开创性的工作。获北京市科技奖一等奖、中国科学院杰出科技成就奖。
