[09.25]《集成电路静电ESD防护技术前景》
23.09.2015 13:52
本文来源: 郑州大学
题目：集成电路静电ESD防护技术前景
时间： 2015.09.25 周五 下午3:00
地点： 信息工程学院学术报告大厅（二楼）
信息工程学院
2015年9月23日
内容简介：
静电放电是一种对电子元器件的可靠性有普遍威胁的现象,超过35％的芯片损坏可以归因于ESD事件。金属氧化物半导体加工技术的持续发展使ESD引起的故障更为突出。本报告将就静电放电来源、模型、保护方案和测试技术给以概述，提出在硅CMOS集成电路的ESD保护方法, BiCMOS,砷化镓,GaN和新兴技术的解决方案。与ESD设计和优化相关技术所面临的挑战和困难将得以解决。
报告人简介：
刘俊杰博士是美国中佛罗里达(佛罗里达)电气与计算机工程系教授，副院长，他于1982年,1983年和1987年的六月获得了数学学士(荣誉),硕士,佛罗里达大学的电气工程博士学位。他现在是UCF特聘教授和洛克希德·马丁公司劳伦特教授，目前的研究方向是微/纳电子学、计算机辅助设计、射频设备建模与仿真，以及静电放电(ESD)保护设计和仿真。
刘博士教授拥有8项美国专利,并出版了10本书,280多篇期刊论文收录在国际和国家会议论文集。他已获得超过1400万美元的研究经费，在大量的国际会议担任主席或技术项目主席,杂志(在美国,加拿大和南美)的区域编辑和在IEEE相关期刊，世界科学期刊,国际天线和传播、微电子器件可靠性等杂志等七种特刊的客座编辑。郑州大学版权所有，禁止非法转载！2015-09-23 13:51:52
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